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开关损耗测量中需要注意的问题分析
2023-04-14
开关损耗测量中需要注意的问题分析开关损耗测量中应考虑哪些问题在实际的测量评估中，我们用一个通道测量电压，另一个通道测量电流，然后软
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驱动电路中的误开通介绍
2023-04-14
极速快3驱动电路中的误开通介绍驱动电路中的误开通功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一个受门极电压控制的开关。当门极电压大于开通阈值时，功
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驱动电路中的误开通怎么避免
2023-04-13
驱动电路中的误开通怎么避免避免驱动误开通的方法门极电阻、电容法为了避免功率管的误开通，常用的方法是通过调整门极驱动的电阻和电容，如
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SiC MOSFET桥臂串扰问题,误开通详解
2023-04-13
极速快3SiC MOSFET桥臂串扰问题,误开通详解相较于传统的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的导通电阻，更快的开关速度，使得系统损耗大幅降低，效
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MOS管驱动电路功率损耗怎么计算
2023-04-13
MOS管驱动电路功率损耗怎么计算在一些大电流的MOS管应用电路中，功耗越大，意味着发热越多，器件温升就越高，这对于电路的稳定工作而言是个
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小功率电源MOS管驱动电路设计图文介绍
2023-04-12
极速快3小功率电源MOS管驱动电路设计图文介绍MOS管驱动电路设计对于小功率电源(50W以内)MOS管的驱动电路设计相对简单，只需要一个驱动电阻Rg即可对
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SiC MOSFET尖峰产生原因与抑制介绍
2023-04-12
SiC MOSFET尖峰产生原因与抑制介绍SiC MOSFET DS电压尖峰产生原因在半桥电路中，针对MOS漏极和源极产生的尖峰抑制方法之一就是增加缓冲
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MOSFET应用,缓冲电路种类详解
2023-04-12
MOSFET应用,缓冲电路种类详解缓冲电路的种类缓冲电路分为由电阻、线圈和电容器等被动部件组合的电路，和包含半导体元器件的主动电路。为了
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缓冲电路设计方法介绍
2023-04-11
缓冲电路设计方法介绍缓冲电路的设计方法1．图所示的缓冲电路是通过CSNB 吸收LTRACE 积蓄的能量。因此，在缓冲电路中形成的LSNB 必须比L
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不同封装造成的电压尖峰差异介绍
2023-04-11
极速快3不同封装造成的电压尖峰差异介绍SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在
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同步降压MOSFET电阻比正确选择介绍
2023-04-11
极速快3同步降压MOSFET电阻比正确选择介绍在本文中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关
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DCDC,电源IC损耗计算方法介绍
2023-04-10
极速快3DCDC,电源IC损耗计算方法介绍本文将在简单的前提下，介绍一种利用现有数据求出电源IC损耗的方法。损耗的简单计算方法在很多情况下，电源IC